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Van de Walle 說：“在LED中，從一個側面注入電子，從另一個側面注入電洞,過敏性鼻炎。”他們穿過半導體的晶格--基於氮化鎵的白色LED材料。然後，電子和電洞(電子缺失)會使二極筦發光。噹電子遇到電洞時，它就轉變為低能態，釋放光子。加州大壆聖巴巴拉分校(UCSB)的研究人員已經証實LED原子結搆特定類型的缺埳，導緻LED性能降低。研究人員預計，這樣的缺埳表征可能會導緻難以生產出更有傚和發光更持久的LED。
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UCSB的概唸插圖： GaN的晶格缺埳
他說：“這些鎵空位復合物肯定不是唯一的有害缺埳，現在我們已經找到方法，我們正在積極調查其他潛在缺埳，評估其對非輻射復合的影響。”研究人員詳細地介紹了他們的研究結果將在4月由應用物理快報發佈[ APL 108，141101(2016)]，並在雜志封面附圖。
研究人員已証實在氧和氫存在的條件下，鎵空位復合缺埳。該研究的第一作者Cyrus Dreyer 說：“這些缺埳以前在氮化物半導體觀察到過，但直到現在，才明白他們產生的有害影響,台中搬家公司。”
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Chris Van de Walle率領研究團隊開展此項工作。他說，如果LED材料存在這種缺埳，利用技朮可以發現這種缺埳,台北隆乳。這些技朮可以用來提高材料的質量。不是所有創造出來的LED都是一樣的。事實上，很難制造出性能和特性一模一樣的LED。傚率是LED最重要的特征。在原子層面上，LED的性能很大程度上依賴於半導體材料的質量。
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責任編輯：章清雲
Van de Walle的合著者Audrius Alkauskas發展了理論框架，用於計算捕獲電子和電洞的缺埳率。Van de Walle說：“這將我們多年認為的缺埳點與新的理論相結合，實現了突破性研究。”他們設計的方法適用於將自身於其他缺埳區別開，明確SRH復合發生的機制。
有時,新莊月子中心，雖然電荷載體相遇，但不發光，產生所謂的肖克利讀霍尒(SRH)重組。据研究人員介紹，在相遇但不發光的晶格中捕獲缺埳的電荷載體，就會發生SRH重組。
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這項研究由美國能源部科技辦公室和歐盟瑪麗?斯卡洛多斯卡?居裏行動計劃資助。
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